Samsung ve IBM işbirliğine gitti

Yarı iletken çipler için geliştirdikleri yeni teknoloji, transistörlerin dikey olarak istiflenmesine izin vererek, artan güç verimliliği veya daha yüksek performans sağlayacak. Sunum sırasında Samsung ve IBM, yarı iletken yongaların boyutunu nasıl küçültebileceklerini ve aynı zamanda akım akışını yataydan dikeye yönlendirerek güçlerini ve verimliliklerini nasıl artırabileceklerini gösterdi.

CMOS transistörleri yanal veya yatay bir tarzda inşa edilmiş ve on yıllar boyunca sayısız ilerlemeler boyutlarını küçültmüştür, öyle ki Moore Yasası’nın öngörülerini takip ederek milyarlarcası artık bir çip üzerine yerleştirilebilir. Ancak, çip performansını artırmak ve yeni özellikler eklemek için transistörleri daha da küçültmek zor ve maliyetlidir. Bunları yatay yerine dikey olarak yönlendirmek yerden tasarruf sağlar ve Moore Yasasının ömrünü uzatmayı kolaylaştırır mı? Hendek tabanlı DRAM dikey erişim transistörlerinden ilham alan IBM ve Samsung’dan bir ekip, toplu silikon üzerinde Dikey Aktarım Nanosheets (VTFET’ler) kullanılarak oluşturulan CMOS cihazları ve 45 nm geçit ile transistör mimarisini nasıl kendi tarafına çevirdiklerini açıklayacak.

Önceden, yarı iletken yongalar, akım yatay olarak akarken, silikonun yüzeyine düz bir şekilde yerleştirildi. Bu yeni tasarım, transistörlerin paralel yerine yarı iletken çipin yüzeyine dik olmasına izin verir. Yeni teknoloji, üreticilerin Moore Yasası’nın performans sınırlamalarını atlamasına ve düşük güç tüketimi nedeniyle enerji tasarrufu yapmalarına olanak tanıyacak.

Yeni VTFET teknolojisinin ticari ürünlerde ne zaman kullanıma sunulacağına dair bir bilgi yok. Intel’in diğer teknoloji devleriyle birlikte yeni angstrom ölçekli yongalar üzerinde çalıştığı söyleniyor ve Intel, Intel 20A takma adı altında 2024’ün dördüncü çeyreğinde bir çıkış tarihi tahmin ediyor.

Huawei P50 Pocket, pil ve kamera detayları ortaya çıktı